SAMSUNG SSD 870 QVO 8TB

SAMSUNG SSD 870 QVO 8TB

Original by SAMSUNG   |   Artikel-Nr.: EPCS6396794
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Die 870 QVO von Samsung ist die QLC SSD (Quad Level Cell Solid State Drive) der zweiten... mehr
Produktinformationen "SAMSUNG SSD 870 QVO 8TB"
Die 870 QVO von Samsung ist die QLC SSD (Quad Level Cell Solid State Drive) der zweiten Generation und bietet die große Speicherkapazität. Ein passendes Upgrade für alle Anwender, die ihren Laptop oder Desktoprechner für den alltäglichen Einsatz mit enorm viel Speicherplatz ausstatten möchten - ohne dabei Kompromisse bei der Leistung einzugehen.
Allgemein
GerätetypSolid State Drive - intern
Kapazität8 TB
HardwareverschlüsselungJa
Verschlüsselungsalgorithmus256-Bit-AES
NAND-Flash-SpeichertypQuad-Level Cell (QLC)
Formfaktor2.5" (6.4 cm)
SchnittstelleSATA 6Gb/s
Puffergröße8 GB
MerkmaleTRIM-Unterstützung, Garbage Collection-Technologie, Schlafmodus, TurboWrite Technology, V-NAND Technology, Low Power DDR4 SDRAM Cache, Samsung MKX Controller, S.M.A.R.T., 256-Bit-AES, IEEE 1667
Breite69.85 mm
Tiefe100 mm
Höhe6.8 mm
Gewicht57 g
Leistung
SSD-Leistung2.88 PB
Interner Datendurchsatz560 MBps (lesen)/ 530 MBps (Schreiben)
4 KB Random Read11000 IOPS
4 KB Random Write35000 IOPS
Maximal 4 KB Random Write88000 IOPS
Maximal 4 KB Random Read98000 IOPS
Zuverlässigkeit
MTBF1,500,000 Stunden
Erweiterung und Konnektivität
Schnittstellen1 x SATA 6 Gb/s - 7-poliges Serial ATA
Kompatibles Schaltfeld2.5" (6.4 cm)
Stromversorgung
Energieverbrauch3.3 Watt (Durchschnitt)
5.5 Watt (Maximum)
0.045 Watt (Leerlauf)
Herstellergarantie
Service und SupportBegrenzte Garantie - 3 Jahre
Umgebungsbedingungen
Min Betriebstemperatur0 °C
Max. Betriebstemperatur70 °C
Schocktoleranz (in Betrieb)0,5 ms Sinushalbwellen
Schocktoleranz (nicht in Betrieb)1500 g @ 0,5 ms

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Eigenschaften:
Schnittstelle: SATA 6Gb/s
Gerätetyp: Solid-State-Disk - intern
MTBF: 1,500,000 Stunden
Kompatibles Schaltfeld: 2.5" (6.4 cm)
Formfaktor: 2.5" (6.4 cm)
Höhe: 6.8 mm
Breite: 69.85 mm
Tiefe: 100 mm
Interner Datendurchsatz: 560 MBps (lesen)/ 530 MBps (Schreiben)
Kapazität: 8 TB
Gewicht: 57 g
Merkmale: TRIM-Unterstützung, Garbage Collection-Technologie, Schlafmodus, TurboWrite Technology, V-NAND Technology, Low Power DDR4 SDRAM Cache, Samsung MKX Controller, S.M.A.R.T., 256-Bit-AES, IEEE 1667
Schocktoleranz (in Betrieb): 0,5 ms Sinushalbwellen
Schnittstellen: 1 x SATA 6 Gb/s - 7-poliges Serial ATA
Puffergröße: 8 GB
NAND-Flash-Speichertyp: Quad-Level Cell (QLC)
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