SAMSUNG SSD 870 QVO 2TB

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EAN: 8806090396007
Herstellernummer: 8806090396007

Die 870 QVO von Samsung, eine QLC SSD (Quad Level Cell Solid State Drive) der zweiten Generation,... mehr

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Produktinformationen "SAMSUNG SSD 870 QVO 2TB"

Die 870 QVO von Samsung, eine QLC SSD (Quad Level Cell Solid State Drive) der zweiten Generation, ist ein passendes Upgrade für alle Anwender, die ihren Laptop oder Desktoprechner für den alltäglichen Einsatz mit enorm viel Speicherplatz ausstatten möchten - ohne dabei Kompromisse bei der Leistung einzugehen.

Allgemein
Gerätetyp	Solid State Drive - intern
Kapazität	2 TB
Hardwareverschlüsselung	Ja
Verschlüsselungsalgorithmus	256-Bit-AES
NAND-Flash-Speichertyp	Quad-Level Cell (QLC)
Formfaktor	2.5" (6.4 cm)
Schnittstelle	SATA 6Gb/s
Puffergröße	2 GB
Merkmale	TRIM-Unterstützung, Garbage Collection-Technologie, Schlafmodus, TurboWrite Technology, V-NAND Technology, Low Power DDR4 SDRAM Cache, Samsung MKX Controller, S.M.A.R.T., 256-Bit-AES, IEEE 1667
Breite	69.85 mm
Tiefe	100 mm
Höhe	6.8 mm
Gewicht	46 g
Leistung
SSD-Leistung	720 TB
Interner Datendurchsatz	560 MBps (lesen)/ 530 MBps (Schreiben)
4 KB Random Read	11000 IOPS
4 KB Random Write	35000 IOPS
Maximal 4 KB Random Write	88000 IOPS
Maximal 4 KB Random Read	98000 IOPS
Zuverlässigkeit
MTBF	1,500,000 Stunden
Erweiterung und Konnektivität
Schnittstellen	1 x SATA 6 Gb/s - 7-poliges Serial ATA
Kompatibles Schaltfeld	2.5" (6.4 cm)
Stromversorgung
Energieverbrauch	3.3 Watt (Durchschnitt) 5.5 Watt (Maximum) 0.045 Watt (Leerlauf)
Herstellergarantie
Service und Support	Begrenzte Garantie - 3 Jahre
Umgebungsbedingungen
Min Betriebstemperatur	0 °C
Max. Betriebstemperatur	70 °C
Schocktoleranz (in Betrieb)	0,5 ms Sinushalbwellen
Schocktoleranz (nicht in Betrieb)	1500 g @ 0,5 ms

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Eigenschaften:

Schnittstelle:	SATA 6Gb/s
Gerätetyp:	Solid-State-Disk - intern
Kapazität:	2 TB
MTBF:	1,500,000 Stunden
Kompatibles Schaltfeld:	2.5" (6.4 cm)
Formfaktor:	2.5" (6.4 cm)
Höhe:	6.8 mm
Breite:	69.85 mm
Tiefe:	100 mm
Interner Datendurchsatz:	560 MBps (lesen)/ 530 MBps (Schreiben)
Schocktoleranz (in Betrieb):	0,5 ms Sinushalbwellen
NAND-Flash-Speichertyp:	Quad-Level Cell (QLC)
Puffergröße:	2 GB
Gewicht:	46 g