INTEL DC S3520 480GB

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INTEL DC S3520 480GB

Original by INTEL   |   Artikel-Nr.: EPCS4746067
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Produktinformationen "INTEL DC S3520 480GB"
Mit den fortschrittlichen Datenspeicherlösungen für Rechenzentren können Sie Engpässe beseitigen. Modernisieren Sie Ihre Infrastruktur, um mit den Anforderungen der digitalen Unternehmensumgebung Schritt zu halten. Intel Rechenzentrums-SSDs sind für hohe Leistung, Zuverlässigkeit und Langlebigkeit optimiert.
Allgemein
GerätetypSolid State Drive - intern
Kapazität480 GB
HardwareverschlüsselungJa
Verschlüsselungsalgorithmus256-Bit-AES
NAND-Flash-Speichertyp16nm Multi-Level-Cell (MLC)
Formfaktor2.5" (6.4 cm)
SchnittstelleSATA 6Gb/s
MerkmaleTemperature Monitoring and Logging, Enhanced Power Loss Data Protection, End-to-End-Datenschutz, 3D NAND Technology
Höhe7 mm
Gewicht62 g
Leistung
SSD-Leistung945 TB
Übertragungsrate Laufwerk600 MBps (extern)
Interner Datendurchsatz450 MBps (lesen)/ 380 MBps (Schreiben)
4 KB Random Read65500 IOPS
4 KB Random Write16000 IOPS
Mittlere Wartezeit42 µs
Zuverlässigkeit
MTBF2,000,000 Stunden
Nicht-korrigierbare Datenfehler1 pro 10^17
Erweiterung und Konnektivität
Schnittstellen1 x SATA 6 Gb/s
Kompatibles Schaltfeld2.5" (6.4 cm)
Stromversorgung
Energieverbrauch3.2 Watt (aktiv)
500 mW (Leerlauf)
Herstellergarantie
Service und SupportBegrenzte Garantie - 5 Jahre
Umgebungsbedingungen
Min Betriebstemperatur0 °C
Max. Betriebstemperatur70 °C
Schocktoleranz (in Betrieb)1000 g @ 0,5 ms
Schocktoleranz (nicht in Betrieb)1000 g @ 0,5 ms
Vibrationstoleranz (in Betrieb)2.17 g @ 5-700 Hz
Vibrationstoleranz (nicht in Betrieb)3.13 g @ 5-800 Hz

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Eigenschaften:
Schnittstellen: 1 x SATA 6 Gb/s
Schnittstelle: SATA 6Gb/s
Übertragungsrate Laufwerk: 600 MBps (extern)
Gerätetyp: Solid-State-Disk - intern
Kompatibles Schaltfeld: 2.5" (6.4 cm)
Formfaktor: 2.5" (6.4 cm)
MTBF: 2,000,000 Stunden
Höhe: 7 mm
Kapazität: 480 GB
Gewicht: 62 g
Schocktoleranz (in Betrieb): 1000 g @ 0,5 ms
Vibrationstoleranz (nicht in Betrieb): 3.13 g @ 5-800 Hz
Vibrationstoleranz (in Betrieb): 2.17 g @ 5-700 Hz
NAND-Flash-Speichertyp: 16nm Multi-Level-Cell (MLC)
Interner Datendurchsatz: 450 MBps (lesen)/ 380 MBps (Schreiben)
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