SAMSUNG 970 EVO Plus 1TB

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EAN: 8801643628086
Gewicht: 0.08 kg
Herstellernummer: 8801643628086

So wird hohe Leistung noch gesteigert. Die mit modernster V-NAND-Technologie ausgestattete 970... mehr

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Produktinformationen "SAMSUNG 970 EVO Plus 1TB"

So wird hohe Leistung noch gesteigert. Die mit modernster V-NAND-Technologie ausgestattete 970 EVO Plus ist noch schneller als die 970 EVO und verfügt zudem über eine Firmware-Optimierung. Damit reizt sie das Potential der PCIe-Schnittstelle und des NVMe Protokolls für noch schnellere Zugriffszeiten voll aus.

Allgemein
Gerätetyp	Solid State Drive - intern
Kapazität	1 TB
Hardwareverschlüsselung	Ja
Verschlüsselungsalgorithmus	256-Bit-AES
NAND-Flash-Speichertyp	TLC (Triple-Level Cell)
Formfaktor	M.2 2280
Schnittstelle	PCIe 3.0 x4 (NVMe)
Puffergröße	1 GB
Merkmale	TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, TurboWrite Technology, V-NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.3, Samsung Phoenix Controller, S.M.A.R.T.
Breite	22.15 mm
Tiefe	80.15 mm
Höhe	2.38 mm
Gewicht	8 g
Leistung
SSD-Leistung	600 TB
Interner Datendurchsatz	3500 MBps (lesen)/ 3300 MBps (Schreiben)
4 KB Random Read	19000 IOPS
4 KB Random Write	60000 IOPS
Maximal 4 KB Random Write	550000 IOPS
Maximal 4 KB Random Read	600000 IOPS
Zuverlässigkeit
MTBF	1,500,000 Stunden
Erweiterung und Konnektivität
Schnittstellen	PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - M.2 Card
Kompatibles Schaltfeld	M.2 2280
Stromversorgung
Energieverbrauch	6 Watt (Durchschnitt) 9 Watt (Maximum) 30 mW (Inaktivität Maximum)
Verschiedenes
Kennzeichnung	IEEE 1667
Herstellergarantie
Service und Support	Begrenzte Garantie - 5 Jahre
Umgebungsbedingungen
Min Betriebstemperatur	0 °C
Max. Betriebstemperatur	70 °C
Schocktoleranz (in Betrieb)	1500 g @ 0,5 ms Sinushalbwellen

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Eigenschaften:

Gerätetyp:	Solid-State-Disk - intern
Schnittstelle:	PCI Express 3.0 x4 (NVMe)
Kompatibles Schaltfeld:	M.2 2280
Formfaktor:	M.2 2280
MTBF:	1,500,000 Stunden
Kapazität:	1 TB
Höhe:	2.38 mm
Schocktoleranz (in Betrieb):	1500 g @ 0,5 ms Sinushalbwellen
Kennzeichnung:	IEEE 1667
Breite:	22.15 mm
Tiefe:	80.15 mm
Puffergröße:	1 GB
Gewicht:	8 g
NAND-Flash-Speichertyp:	TLC (Triple-Level Cell)
Schnittstellen:	PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - M.2 Card
Interner Datendurchsatz:	3500 MBps (lesen)/ 3300 MBps (Schreiben)