INTEL DC SSD E 7000s 960GB

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EAN: 0675901481502
Gewicht: 0.2 kg
Herstellernummer: 0675901481502

Bietet Robustheit, dauerhafte Integrität, Sicherheit und Leistung für eine Vielzahl von... mehr

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Produktinformationen "INTEL DC SSD E 7000s 960GB"

Bietet Robustheit, dauerhafte Integrität, Sicherheit und Leistung für eine Vielzahl von Anwendungen wie Digital-Signage-Lösungen und Geldautomaten. Die integrierte Power-Loss-Imminent-Technik (PLI) schützt bei Stromausfällen vor Datenverlust.

Allgemein
Gerätetyp	Solid State Drive - intern
Kapazität	960 GB
Hardwareverschlüsselung	Ja
Verschlüsselungsalgorithmus	256-Bit-AES
NAND-Flash-Speichertyp	16nm 3D Zelle mit mehreren Ebenen (MLC)
Formfaktor	M.2 2280
Schnittstelle	SATA 6Gb/s
Merkmale	Temperature Monitoring and Logging, Enhanced Power Loss Data Protection, End-to-End-Datenschutz, 3D NAND Technology
Gewicht	9 g
Leistung
Interner Datendurchsatz	400 MBps (lesen)/ 270 MBps (Schreiben)
4 KB Random Read	49000 IOPS
4 KB Random Write	11000 IOPS
Mittlere Wartezeit	42 µs
Zuverlässigkeit
MTBF	2,000,000 Stunden
Nicht-korrigierbare Datenfehler	1 pro 10^17
Erweiterung und Konnektivität
Schnittstellen	1 x SATA 6 Gb/s
Kompatibles Schaltfeld	M.2 2280
Stromversorgung
Energieverbrauch	2.7 Watt (aktiv) 600 mW (Leerlauf)
Herstellergarantie
Service und Support	Begrenzte Garantie - 5 Jahre
Umgebungsbedingungen
Min Betriebstemperatur	0 °C
Max. Betriebstemperatur	70 °C
Schocktoleranz (in Betrieb)	1000 g @ 0,5 ms
Schocktoleranz (nicht in Betrieb)	1000 g @ 0,5 ms
Vibrationstoleranz (in Betrieb)	2.17 g @ 5-700 Hz
Vibrationstoleranz (nicht in Betrieb)	3.13 g @ 5-800 Hz

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Eigenschaften:

Schnittstellen:	1 x SATA 6 Gb/s
Schnittstelle:	SATA 6Gb/s
Kapazität:	960 GB
Gerätetyp:	Solid-State-Disk - intern
Kompatibles Schaltfeld:	M.2 2280
Formfaktor:	M.2 2280
MTBF:	2,000,000 Stunden
Gewicht:	9 g
Schocktoleranz (in Betrieb):	1000 g @ 0,5 ms
Vibrationstoleranz (nicht in Betrieb):	3.13 g @ 5-800 Hz
Vibrationstoleranz (in Betrieb):	2.17 g @ 5-700 Hz
Interner Datendurchsatz:	400 MBps (lesen)/ 270 MBps (Schreiben)
NAND-Flash-Speichertyp:	16nm 3D Zelle mit mehreren Ebenen (MLC)