INTEL DC SSD E 7000s 960GB

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INTEL DC SSD E 7000s 960GB

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Original by INTEL   |   Artikel-Nr.: EPCS4833935
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Bietet Robustheit, dauerhafte Integrität, Sicherheit und Leistung für eine Vielzahl von... mehr
Produktinformationen "INTEL DC SSD E 7000s 960GB"
Bietet Robustheit, dauerhafte Integrität, Sicherheit und Leistung für eine Vielzahl von Anwendungen wie Digital-Signage-Lösungen und Geldautomaten. Die integrierte Power-Loss-Imminent-Technik (PLI) schützt bei Stromausfällen vor Datenverlust.
Allgemein
GerätetypSolid State Drive - intern
Kapazität960 GB
HardwareverschlüsselungJa
Verschlüsselungsalgorithmus256-Bit-AES
NAND-Flash-Speichertyp16nm 3D Zelle mit mehreren Ebenen (MLC)
FormfaktorM.2 2280
SchnittstelleSATA 6Gb/s
MerkmaleTemperature Monitoring and Logging, Enhanced Power Loss Data Protection, End-to-End-Datenschutz, 3D NAND Technology
Gewicht9 g
Leistung
Interner Datendurchsatz400 MBps (lesen)/ 270 MBps (Schreiben)
4 KB Random Read49000 IOPS
4 KB Random Write11000 IOPS
Mittlere Wartezeit42 µs
Zuverlässigkeit
MTBF2,000,000 Stunden
Nicht-korrigierbare Datenfehler1 pro 10^17
Erweiterung und Konnektivität
Schnittstellen1 x SATA 6 Gb/s
Kompatibles SchaltfeldM.2 2280
Stromversorgung
Energieverbrauch2.7 Watt (aktiv)
600 mW (Leerlauf)
Herstellergarantie
Service und SupportBegrenzte Garantie - 5 Jahre
Umgebungsbedingungen
Min Betriebstemperatur0 °C
Max. Betriebstemperatur70 °C
Schocktoleranz (in Betrieb)1000 g @ 0,5 ms
Schocktoleranz (nicht in Betrieb)1000 g @ 0,5 ms
Vibrationstoleranz (in Betrieb)2.17 g @ 5-700 Hz
Vibrationstoleranz (nicht in Betrieb)3.13 g @ 5-800 Hz

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Eigenschaften:
Schnittstellen: 1 x SATA 6 Gb/s
Schnittstelle: SATA 6Gb/s
Kapazität: 960 GB
Gerätetyp: Solid-State-Disk - intern
Kompatibles Schaltfeld: M.2 2280
Formfaktor: M.2 2280
MTBF: 2,000,000 Stunden
Gewicht: 9 g
Schocktoleranz (in Betrieb): 1000 g @ 0,5 ms
Vibrationstoleranz (nicht in Betrieb): 3.13 g @ 5-800 Hz
Vibrationstoleranz (in Betrieb): 2.17 g @ 5-700 Hz
Interner Datendurchsatz: 400 MBps (lesen)/ 270 MBps (Schreiben)
NAND-Flash-Speichertyp: 16nm 3D Zelle mit mehreren Ebenen (MLC)
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