SAMSUNG 970 EVO Plus 2TB

SAMSUNG 970 EVO Plus 2TB

Original by SAMSUNG   |   Artikel-Nr.: EPCS5523501
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So wird hohe Leistung noch gesteigert. Die mit modernster V-NAND-Technologie ausgestattete 970... mehr
Produktinformationen "SAMSUNG 970 EVO Plus 2TB"
So wird hohe Leistung noch gesteigert. Die mit modernster V-NAND-Technologie ausgestattete 970 EVO Plus ist noch schneller als die 970 EVO und verfügt zudem über eine Firmware-Optimierung. Damit reizt sie das Potential der PCIe-Schnittstelle und des NVMe Protokolls für noch schnellere Zugriffszeiten voll aus.
Allgemein
GerätetypSolid State Drive - intern
Kapazität2 TB
HardwareverschlüsselungJa
Verschlüsselungsalgorithmus256-Bit-AES
NAND-Flash-SpeichertypTLC (Triple-Level Cell)
FormfaktorM.2 2280
SchnittstellePCIe 3.0 x4 (NVMe)
Puffergröße2 GB
MerkmaleRAPID-Modus-Unterstützung, V-NAND Technology, eDrive, NVM Express (NVMe) 1.3, Samsung Phoenix Controller
Breite22.15 mm
Tiefe80.15 mm
Höhe2.38 mm
Gewicht8 g
Leistung
SSD-Leistung1200 TB
Interner Datendurchsatz3500 MBps (lesen)/ 3300 MBps (Schreiben)
4 KB Random Read19000 IOPS
4 KB Random Write60000 IOPS
Maximal 4 KB Random Write560000 IOPS
Maximal 4 KB Random Read620000 IOPS
Erweiterung und Konnektivität
SchnittstellenPCI Express 3.0 x4 (NVMe) - M.2 Card
Kompatibles SchaltfeldM.2 2280
Verschiedenes
KennzeichnungIEEE 1667
Herstellergarantie
Service und SupportBegrenzte Garantie - 5 Jahre

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Eigenschaften:
Gerätetyp: Solid-State-Disk - intern
Schnittstelle: PCI Express 3.0 x4 (NVMe)
Kompatibles Schaltfeld: M.2 2280
Kapazität: 2 TB
Formfaktor: M.2 2280
Höhe: 2.38 mm
Kennzeichnung: IEEE 1667
Breite: 22.15 mm
Tiefe: 80.15 mm
Puffergröße: 2 GB
Gewicht: 8 g
NAND-Flash-Speichertyp: TLC (Triple-Level Cell)
Schnittstellen: PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - M.2 Card
Interner Datendurchsatz: 3500 MBps (lesen)/ 3300 MBps (Schreiben)
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