INTEL SSD/DC S3520 480GB

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Original by INTEL   |   Artikel-Nr.: EPCS3685423
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Produktinformationen "INTEL SSD/DC S3520 480GB"
Intel Solid-State-Laufwerke der Produktreihe DC S3500 kombinieren schnelle, dauerhafte Leseleistung mit wirksamem Schutz der Daten und geringem Energieverbrauch bei Aktivität, um bei Video-Conferencing-, Big-Data-Analyse- oder Virtual-Client-Anwendungen überragende Dienstgüte (QoS) zu bieten.
Allgemein
GerätetypSolid State Drive - intern
Kapazität480 GB
HardwareverschlüsselungJa
Verschlüsselungsalgorithmus256-Bit-AES
NAND-Flash-Speichertyp16nm Multi-Level-Cell (MLC)
Formfaktor2.5" (6.4 cm)
SchnittstelleSATA 6Gb/s
MerkmaleTemperature Monitoring and Logging, Enhanced Power Loss Data Protection, End-to-End-Datenschutz, 3D NAND Technology
Höhe7 mm
Gewicht62 g
Leistung
SSD-Leistung945 TB
Übertragungsrate Laufwerk600 MBps (extern)
Interner Datendurchsatz450 MBps (lesen)/ 380 MBps (Schreiben)
4 KB Random Read65500 IOPS
4 KB Random Write16000 IOPS
Mittlere Wartezeit42 µs
Zuverlässigkeit
MTBF2,000,000 Stunden
Nicht-korrigierbare Datenfehler1 pro 10^17
Erweiterung und Konnektivität
Schnittstellen1 x SATA 6 Gb/s
Kompatibles Schaltfeld2.5" (6.4 cm)
Stromversorgung
Energieverbrauch3.2 Watt (aktiv)
500 mW (Leerlauf)
Herstellergarantie
Service und SupportBegrenzte Garantie - 5 Jahre
Umgebungsbedingungen
Min Betriebstemperatur0 °C
Max. Betriebstemperatur70 °C
Schocktoleranz (in Betrieb)1000 g @ 0,5 ms
Schocktoleranz (nicht in Betrieb)1000 g @ 0,5 ms
Vibrationstoleranz (in Betrieb)2.17 g @ 5-700 Hz
Vibrationstoleranz (nicht in Betrieb)3.13 g @ 5-800 Hz

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Eigenschaften:
Schnittstellen: 1 x SATA 6 Gb/s
Schnittstelle: SATA 6Gb/s
Übertragungsrate Laufwerk: 600 MBps (extern)
Gerätetyp: Solid-State-Disk - intern
Kompatibles Schaltfeld: 2.5" (6.4 cm)
Formfaktor: 2.5" (6.4 cm)
MTBF: 2,000,000 Stunden
Höhe: 7 mm
Kapazität: 480 GB
Gewicht: 62 g
Schocktoleranz (in Betrieb): 1000 g @ 0,5 ms
Vibrationstoleranz (nicht in Betrieb): 3.13 g @ 5-800 Hz
Vibrationstoleranz (in Betrieb): 2.17 g @ 5-700 Hz
NAND-Flash-Speichertyp: 16nm Multi-Level-Cell (MLC)
Interner Datendurchsatz: 450 MBps (lesen)/ 380 MBps (Schreiben)
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